SCT3060ARC14

Rohm Semiconductor

SCT3060ARC14

데이터시트

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L

생산 중TO-247-4아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 13A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds852 pF @ 500 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 6.67mA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C39A (Tc)
최대 전력 손실165W

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-247-4
공급사 디바이스 패키지TO-247-4L

환경 조건

동작 온도175°C (TJ)