SCT2750NYTB

Name: SCT2750NYTB
Brand: Rohm Semiconductor

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

생산 중TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	975mOhm @ 1.7A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	275 pF @ 800 V
제조사	Rohm Semiconductor
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 630µA

드레인-소스 전압	1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.9A (Tc)
최대 전력 손실	57W (Tc)

동작 온도	175°C(TJ)