SCT2280KEHRC11

Name: SCT2280KEHRC11
Brand: Rohm Semiconductor

아날로그 및 전원

1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	364mOhm @ 4A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	667 pF @ 800 V
제조사	Rohm Semiconductor
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1.4mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14A (Tc)
최대 전력 손실	108W (Tc)

패키지	Tube