SCH2080KEC

Rohm Semiconductor

SCH2080KEC

데이터시트

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 1200V 40A TO247

구형TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs117mOhm @ 10A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1850 pF @ 800 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Through Hole
포장Tube
제품 상태구형
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 4.4mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
최대 전력 손실262W (Tc)

기계적 특성

Package / CaseTO-247-3
공급사 디바이스 패키지TO-247

환경 조건

동작 온도175°C (TJ)