RW4E075AJTCL1

Rohm Semiconductor

RW4E075AJTCL1

데이터시트

아날로그 및 전원

NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0

생산 중6-PowerUFDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 7.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds720 pF @ 15 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 2mA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Ta)
최대 전력 손실1.5W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerUFDFN
공급사 디바이스 패키지DFN1616-7T

환경 조건

동작 온도150°C(TJ)