RW4E045ATTCL1

Rohm Semiconductor

RW4E045ATTCL1

데이터시트

아날로그 및 전원

PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4

생산 중6-PowerUFDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 4.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds485 pF @ 15 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
최대 전력 손실1.5W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerUFDFN
공급사 디바이스 패키지DFN1616-7T

환경 조건

동작 온도150°C(TJ)