RV8C010UNHZGG2CR

Rohm Semiconductor

RV8C010UNHZGG2CR

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W

생산 중3-XFDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs470mOhm @ 500mA, 4.5V
기본 품번RV8C010
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈Automotive, AEC-Q101
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
최대 전력 손실1W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
공급사 디바이스 패키지DFN1010-3W

환경 조건

동작 온도150°C(TJ)