RV4E031RPHZGTCR1

Name: RV4E031RPHZGTCR1
Brand: Rohm Semiconductor

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

생산 중6-PowerWFDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 3.1A, 10V
기본 품번	RV4E031
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	460 pF @ 10 V
제조사	Rohm Semiconductor
실장 방식	Surface Mount, Wettable Flank
Product Status	Active
시리즈	Automotive, AEC-Q101
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA

드레인-소스 전압	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.1A (Ta)
최대 전력 손실	1.5W (Ta)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)