RU1C002UNTCL

Rohm Semiconductor

RU1C002UNTCL

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F

생산 중SC-85아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
기본 품번RU1C002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25 pF @ 10 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
최대 전력 손실150mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-85
공급사 디바이스 패키지UMT3F

환경 조건

동작 온도150°C(TJ)