RTR040N03TL

Rohm Semiconductor

RTR040N03TL

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3

생산 중SC-96아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 4A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds475 pF @ 10 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
최대 전력 손실1W (Ta)

기계적 특성

Package / CaseSC-96
공급사 디바이스 패키지TSMT3

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)