RSJ151P10TL

Rohm Semiconductor

RSJ151P10TL

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 100V 15A LPTS

생산 중TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 15A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3800 pF @ 25 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
최대 전력 손실1.35W (Ta), 50W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급사 디바이스 패키지LPTS

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)