RQ3P300BETB1

Rohm Semiconductor

RQ3P300BETB1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

구형8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250 pF @ 50 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 200µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 36A (Tc)
최대 전력 손실2W (Ta), 32W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지8-HSMT (3.2x3)

환경 조건

동작 온도150°C(TJ)