RGT8TM65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT8TM65DGC9

데이터시트

아날로그 및 전원

IGBT TRENCH FLD 650V 5A TO220NFM

생산 중TO-220-3 Full Pack아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Gate Charge13.5 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
입력 유형Standard
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Through Hole
포장Tube
제품 상태생산 중
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
Td (on/off) @ 25°C17ns/69ns
Test Condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A

전기적 특성

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)12 A
Power - Max16 W

기계적 특성

Package / CaseTO-220-3 Full Pack
공급사 디바이스 패키지TO-220NFM

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 175°C (TJ)