RGT8NS65DGTL

Rohm Semiconductor

RGT8NS65DGTL

데이터시트

아날로그 및 전원

IGBT TRENCH FIELD 650V 8A LPDS

단종TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Gate Charge13.5 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
입력 유형Standard
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
Td (on/off) @ 25°C17ns/69ns
Test Condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A

전기적 특성

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)12 A
Power - Max65 W

기계적 특성

패키지Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급사 디바이스 패키지LPDS

환경 조건

동작 온도-40°C~175°C(TJ)