RGT50TM65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT50TM65DGC9

데이터시트

아날로그 및 전원

IGBT TRNCH FLD 650V 21A TO220NFM

생산 중TO-220-3 Full Pack아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Gate Charge49 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
입력 유형Standard
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)58 ns
Td (on/off) @ 25°C27ns/88ns
Test Condition400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A

전기적 특성

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)21 A
Current - Collector Pulsed (Icm)75 A
Power - Max47 W

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
공급사 디바이스 패키지TO-220NFM

환경 조건

동작 온도-40°C~175°C(TJ)