RGT30NS65DGTL

Rohm Semiconductor

RGT30NS65DGTL

데이터시트

아날로그 및 전원

IGBT TRENCH FIELD 650V 30A LPDS

생산 중TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Gate Charge32 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
입력 유형Standard
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
Reverse Recovery Time (trr)55 ns
Td (on/off) @ 25°C18ns/64ns
Test Condition400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 15A

전기적 특성

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)45 A
Power - Max133 W

기계적 특성

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급사 디바이스 패키지LPDS

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 175°C (TJ)