RGT16TM65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT16TM65DGC9

데이터시트

아날로그 및 전원

IGBT TRENCH FLD 650V 9A TO220NFM

생산 중TO-220-3 Full Pack아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Gate Charge21 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
입력 유형Standard
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)42 ns
Td (on/off) @ 25°C13ns/33ns
Test Condition400V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 8A

전기적 특성

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)9 A
Current - Collector Pulsed (Icm)24 A
Power - Max22 W

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
공급사 디바이스 패키지TO-220NFM

환경 조건

동작 온도-40°C~175°C(TJ)