RFN6BGE2DTL

Rohm Semiconductor

RFN6BGE2DTL

데이터시트

아날로그 및 전원

DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE

생산 중TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번RFN6
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
기술Standard

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If980 mV @ 3 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급사 디바이스 패키지TO-252GE

환경 조건

Operating Temperature - Junction150°C