RFN1LAM6STR

Rohm Semiconductor

RFN1LAM6STR

데이터시트

아날로그 및 전원

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

생산 중SOD-128아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번RFN1LAM6
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
기술Standard

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.45 V @ 800 mA
Current - Average Rectified (Io)800mA
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 600 V
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

Package / CaseSOD-128
공급사 디바이스 패키지PMDTM

환경 조건

Operating Temperature - Junction150°C (Max)