RFN10T2D

Rohm Semiconductor

RFN10T2D

데이터시트

아날로그 및 전원

DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

생산 중TO-220-3 Full Pack아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번RFN10
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Through Hole
포장Bulk
제품 상태생산 중
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
기술Standard

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If980 mV @ 5 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)5A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

Package / CaseTO-220-3 Full Pack
공급사 디바이스 패키지TO-220FN

환경 조건

Operating Temperature - Junction150°C (Max)