RF4G100BGTCR

Name: RF4G100BGTCR
Brand: Rohm Semiconductor

아날로그 및 전원

NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M

생산 중8-PowerUDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.2mOhm @ 10A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	530 pF @ 20 V
제조사	Rohm Semiconductor
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA

드레인-소스 전압	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
최대 전력 손실	2W (Ta)

동작 온도	150°C (TJ)