RF4E060AJTCR

Name: RF4E060AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8

생산 중8-PowerUDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	37mOhm @ 6A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	450 pF @ 15 V
제조사	Rohm Semiconductor
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA

드레인-소스 전압	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Ta)
최대 전력 손실	2W (Ta)

동작 온도	150°C(TJ)