R6507END3TL1

Name: R6507END3TL1
Brand: Rohm Semiconductor

아날로그 및 전원

650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER

생산 중TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	665mOhm @ 2.4A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	390 pF @ 25 V
제조사	Rohm Semiconductor
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 200µA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Tc)
최대 전력 손실	78W (Tc)

동작 온도	150°C (TJ)