R6020JNZC8

Rohm Semiconductor

R6020JNZC8

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

구형TO-3P-3 Full Pack아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs234mOhm @ 10A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Through Hole
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id7V @ 3.5mA

전기적 특성

드레인-소스 전압600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
최대 전력 손실76W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-3P-3 Full Pack
공급사 디바이스 패키지TO-3PF

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)