R6004JND3TL1

Name: R6004JND3TL1
Brand: Rohm Semiconductor

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

생산 중TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.43Ohm @ 2A, 15V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	260 pF @ 100 V
제조사	Rohm Semiconductor
실장 방식	Surface Mount
포장	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태	생산 중
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	7V @ 450µA

드레인-소스 전압	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)
최대 전력 손실	60W (Tc)

Package / Case	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급사 디바이스 패키지	TO-252

동작 온도	150°C (TJ)