QS8K13TCR

Rohm Semiconductor

QS8K13TCR

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

생산 중8-SMD, Flat Leads아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6A, 10V
기본 품번QS8K13
구성2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds390pF @ 10V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A
Power - Max550mW

기계적 특성

Package / Case8-SMD, Flat Leads
공급사 디바이스 패키지TSMT8

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)