QH8MA3TCR

Rohm Semiconductor

QH8MA3TCR

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8

생산 중8-SMD, Flat Lead아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 7A, 10V
기본 품번QH8MA3
구성N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 15V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A, 5.5A
Power - Max1.5W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
공급사 디바이스 패키지TSMT8

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)