GNP1070TC-ZE2

Rohm Semiconductor

GNP1070TC-ZE2

데이터시트

아날로그 및 전원

ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD

생산 중8-PowerDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs98mOhm @ 1.9A, 5.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds200 pF @ 400 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 18mA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 5.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
최대 전력 손실56W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerDFN
공급사 디바이스 패키지DFN8080K

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)