DTD113ECT116

Rohm Semiconductor

DTD113ECT116

데이터시트

아날로그 및 전원

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3

생산 중TO-236-3, SC-59, SOT-23-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번DTD113
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
Resistor - Base (R1)1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)1 kOhms
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA

전기적 특성

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Power - Max200 mW
Frequency - Transition200 MHz

기계적 특성

Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급사 디바이스 패키지SST3