BSS84XHZGG2CR

Rohm Semiconductor

BSS84XHZGG2CR

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W

생산 중3-XFDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3Ohm @ 230mA, 10V
기본 품번BSS84
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds34 pF @ 30 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈Automotive, AEC-Q101
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C230mA (Ta)
최대 전력 손실1W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
공급사 디바이스 패키지DFN1010-3W

환경 조건

동작 온도150°C(TJ)