BSM300C12P3E201

Rohm Semiconductor

BSM300C12P3E201

데이터시트

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 1200V 300A MODULE

생산 중Module아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번BSM300
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15000 pF @ 10 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Chassis Mount
Product StatusActive
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 80mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300A (Tc)
최대 전력 손실1360W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseModule
공급사 디바이스 패키지Module

환경 조건

동작 온도-40°C~150°C(TJ)