일반
| 기본 품번 | BSM180 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20000 pF @ 10 V |
| 제조사 | Rohm Semiconductor |
| 실장 방식 | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 204A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 1360W (Tc) |
기계적 특성
| 패키지 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Module |
| 공급사 디바이스 패키지 | Module |
환경 조건
| 동작 온도 | 175°C(TJ) |
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