BAS116HMFHT116

Rohm Semiconductor

BAS116HMFHT116

데이터시트

아날로그 및 전원

DIODE GEN PURP 80V 215MA SSD3

생산 중TO-236-3, SC-59, SOT-23-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번BAS116
Capacitance @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)3 µs
기술Standard

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 150 mA
Current - Average Rectified (Io)215mA
Current - Reverse Leakage @ Vr5 nA @ 75 V
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급사 디바이스 패키지SSD3

환경 조건

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction150°C (Max)
QualificationAEC-Q101