NP32N055SLE-E1-AZ

Renesas

NP32N055SLE-E1-AZ

아날로그 및 전원

NP32N055 - POWER FIELD-EFFECT TR

구형TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 25 V
제조사Renesas
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Ta)
최대 전력 손실1.2W (Ta), 66W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급사 디바이스 패키지TO-252 (MP-3ZK)

환경 조건

동작 온도175°C