일반
| 제조사 | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 4 NPN (Quad) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 30mA, 3A |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 800 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 3.5W |
기계적 특성
| 패키지 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 10-SIP |
| 공급사 디바이스 패키지 | 10-SIP |
환경 조건
| 동작 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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