RQJ0303PGDQA#H6

Name: RQJ0303PGDQA#H6
Brand: Renesas Electronics Corporation

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK

단종TO-236-3, SC-59, SOT-23-3아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	68mOhm @ 1.6A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	625 pF @ 10 V
제조사	Renesas Electronics Corporation
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Last Time Buy
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+10V, -20V

드레인-소스 전압	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.3A (Ta)
최대 전력 손실	800mW (Ta)

동작 온도	150°C (TJ)