RMLV0816BGSD-4S2#AA1

Renesas Electronics Corporation

RMLV0816BGSD-4S2#AA1

데이터시트

메모리 및 스토리지

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II

생산 중52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)메모리 및 스토리지

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

메모리 유형Volatile
기술SRAM
접근 시간45 ns
기본 품번RMLV0816
제조사Renesas Electronics Corporation
실장 방식Surface Mount
포장Tray
제품 상태생산 중
쓰기 사이클 시간45ns

전기적 특성

메모리 용량8Mbit
메모리 형식SRAM
Memory InterfaceParallel
공급 전압2.4V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 8, 512K x 16

기계적 특성

Package / Case52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
공급사 디바이스 패키지52-TSOP II

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 85°C (TA)