RJK0629DPE-00#J3

Renesas Electronics Corporation

RJK0629DPE-00#J3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK

생산 중SC-83아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 43A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4100 pF @ 10 V
제조사Renesas Electronics Corporation
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C85A (Ta)
최대 전력 손실100W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-83
공급사 디바이스 패키지LDPAK

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)