RJK03P9DPA-00#J5A

Renesas Electronics Corporation

RJK03P9DPA-00#J5A

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 20A/50A 8WPAK

구형8-WFDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 10A, 10V
기본 품번RJK03P9
구성2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1660pF @ 10V
제조사Renesas Electronics Corporation
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A, 50A
Power - Max15W, 35W

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case8-WFDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지8-WPAK

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)