RJK03E0DNS-00#J5

Renesas Electronics Corporation

RJK03E0DNS-00#J5

아날로그 및 전원

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

생산 중8-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3050 pF @ 10 V
제조사Renesas Electronics Corporation
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta)
최대 전력 손실20W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case8-PowerWDFN
공급사 디바이스 패키지8-HWSON (3.3x3.3)

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)