RJJ0315DPA-00#J5A

Renesas Electronics Corporation

RJJ0315DPA-00#J5A

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 35A

구형8-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 17.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4300 pF @ 10 V
제조사Renesas Electronics Corporation
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta)
최대 전력 손실30W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case8-WDFN Exposed Pad

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)