NP50P06SDG-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

NP50P06SDG-E1-AY

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 60V 50A TO-252

생산 중TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5mOhm @ 25A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5000 pF @ 10 V
제조사Renesas Electronics Corporation
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
최대 전력 손실1.2W (Ta), 84W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급사 디바이스 패키지TO-252 (MP-3ZK)

환경 조건

동작 온도175°C (TJ)