NP29N04QUK-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

NP29N04QUK-E1-AY

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 40V 30A 8HSON

생산 중8-PowerLDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.1mOhm @ 15A, 10V
구성2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 25V
제조사Renesas Electronics Corporation
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Power - Max1W (Ta), 44W (Tc)

기계적 특성

Package / Case8-PowerLDFN
공급사 디바이스 패키지8-HSON (5x5.4)

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도175°C
QualificationAEC-Q101