HAT2299WP-EL-E

Name: HAT2299WP-EL-E
Brand: Renesas Electronics Corporation

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 150V 14A 8WPAK

생산 중8-PowerWDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 7A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	710 pF @ 25 V
제조사	Renesas Electronics Corporation
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V

드레인-소스 전압	150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14A (Ta)
최대 전력 손실	25W (Tc)

동작 온도	150°C (TJ)