HAT1127HWS-E

Name: HAT1127HWS-E
Brand: Renesas Electronics Corporation

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 40A 5LFPAK

구형SC-100, SOT-669아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 20A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5600 pF @ 10 V
제조사	Renesas Electronics Corporation
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+10V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA

드레인-소스 전압	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Ta)
최대 전력 손실	30W (Tc)

동작 온도	150°C