가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7Ohm @ 200mA, 4V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80 pF @ 25 V |
| 제조사 | Renesas Electronics Corporation |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| 드레인-소스 전압 | 250 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| 최대 전력 손실 | 750mW (Ta) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
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| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-92 |
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
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