일반
| FET Type | P-Channel |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 10 V |
| 제조사 | Renesas Electronics Corporation |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 160 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| 최대 전력 손실 | 100W (Tc) |
기계적 특성
| 패키지 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-3P |
환경 조건
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
|---|