일반
| 제조사 | Renesas Electronics Corporation |
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| 실장 방식 | Through Hole |
| 포장 | Bulk |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 1mA, 1A |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35 V |
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| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 1.3 W |
기계적 특성
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
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| 공급사 디바이스 패키지 | TO-126 |
환경 조건
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
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