일반
| 제조사 | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| 실장 방식 | Through Hole |
| 포장 | Bulk |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 280MHz |
기계적 특성
| Package / Case | 3-SSIP |
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환경 조건
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
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