RJK0305DPB-02#J0

Renesas Electronics America Inc

RJK0305DPB-02#J0

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

생산 중SC-100, SOT-669아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250 pF @ 10 V
제조사Renesas Electronics America Inc
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+16V, -12V

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-100, SOT-669
공급사 디바이스 패키지LFPAK